| 图片 | 商品型号 | 制造商 | 描述 | 关键参数 |
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HSCR-0223D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.3A 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-0223P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.3A 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-1223D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.6A 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-1223P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.6A 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-2223D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.9A 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-2223P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.9A 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-3223D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:1.2A 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-3223P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:1.2A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-0213D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.3A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-0213P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.3A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-1213D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.6A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-1213P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.6A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-2213D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.9A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-2213P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.9A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-3213D | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:DIP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:1.2A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HSCR-3213P | 华联 |
可控硅输出型光耦 |
封装形式:SOP8 断态峰值电压:600V 通态有效电流:1.2A 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:≥200 工作温度:-30~85℃ 介质耐压:5000 |
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HPC3022-2 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:SOP6 断态峰值电压:400V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:10mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3022-3 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:DIP6 断态峰值电压:400V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:10mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3023-2 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:SOP6 断态峰值电压:400V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:5mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:DIP6 断态峰值电压:400V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:5mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3052-2 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:SOP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:10mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3052-3 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:DIP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:10mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3053-2 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:SOP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:5mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3053-3 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:DIP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:5mA 触发类型:非过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3062-2 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:SOP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:10mA 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3062-3 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:DIP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:10mA 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3063-2 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:SOP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:5mA 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
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HPC3063-3 | 华联 |
双向晶闸管输出型光耦 |
封装形式:DIP6 断态峰值电压:600V 通态有效电流:0.1A LED触发电流:5mA 触发类型:过零型 断态临界电压上升率:1000V/μs 工作温度:-40~85℃ 介质耐压:5000Vrms |
联系电话：86-592-6037466 | 86-592-2950777
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